Polovodičové snímače tlaku lze rozdělit do dvou kategorií, jedna je založena na principu, že I-υ charakteristika polovodičového PN přechodu (nebo Schottkyho přechodu) se pod napětím mění.Výkon tohoto prvku citlivého na tlak je velmi nestabilní a nebyl příliš vyvinut.Druhým je senzor založený na polovodičovém piezorezistivním jevu, který je hlavní variantou polovodičového tlakového senzoru.V počátcích se polovodičové tenzometry většinou připevňovaly k elastickým prvkům, aby se vyráběly různé přístroje na měření napětí a napětí.V 60. letech 20. století se s rozvojem technologie polovodičových integrovaných obvodů objevil polovodičový snímač tlaku s difúzním odporem jako piezorezistivním prvkem.Tento typ snímače tlaku má jednoduchou a spolehlivou strukturu, žádné relativní pohyblivé části a prvek citlivý na tlak a pružný prvek snímače jsou integrovány, což zabraňuje mechanickému zpoždění a tečení a zlepšuje výkon snímače.

Piezorezistivní účinek polovodiče Polovodič má charakteristiku související s vnější silou, to znamená, že měrný odpor (reprezentovaný symbolem ρ) se mění s napětím, které nese, což se nazývá piezorezistivní efekt.Relativní změna měrného odporu při působení jednotkového napětí se nazývá piezorezistivní koeficient, který je vyjádřen symbolem π.Vyjádřeno matematicky jako ρ/ρ = π σ.

Kde σ představuje napětí.Změna hodnoty odporu (R/R) způsobená polovodičovým odporem pod napětím je určena především změnou odporu, takže vyjádření piezorezistivního efektu lze také zapsat jako R/R=πσ.

Působením vnější síly vzniká v polovodičových krystalech určité napětí (σ) a deformace (ε) a vztah mezi nimi je určen Youngovým modulem (Y) materiálu, tedy Y=σ/ε.

Pokud je piezorezistivní efekt vyjádřen namáháním polovodiče, je to R/R=Gε.

G se nazývá faktor citlivosti tlakového snímače, který představuje relativní změnu hodnoty odporu při jednotkovém přetvoření.

Piezorezistivní koeficient neboli faktor citlivosti je základním fyzikálním parametrem polovodičového piezorezistivního jevu.Vztah mezi nimi, stejně jako vztah mezi napětím a deformací, je určen Youngovým modulem materiálu, tj. g = π y.

Kvůli anizotropii pružnosti polovodičových krystalů se Youngův modul a piezorezistivní koeficient mění s orientací krystalu.Velikost piezorezistivního efektu polovodiče také úzce souvisí s měrným odporem polovodiče.Čím nižší je měrný odpor, tím menší je faktor citlivosti.Piezorezistivní účinek difúzního odporu je určen orientací krystalu a koncentrací nečistot difúzního odporu.Koncentrace nečistot se týká především koncentrace povrchových nečistot v difúzní vrstvě.