Senzory polovodičového tlaku mohou být rozděleny do dvou kategorií, jeden je založen na principu, že se při stresu mění charakteristiky I-s polovodičové křižovatce Pn (nebo Schottkyho křižovatky). Výkon tohoto prvku citlivého na tlak je velmi nestabilní a nebyl výrazně rozvinut. Druhým je senzor založený na polovodičovém piezorezistickém účinku, který je hlavní rozmanitostí senzoru polovodičového tlaku. V prvních dnech byly polovodičové deformace většinou připojeny k elastickým prvkům, aby se různé přístroje napětí a měření napětí. V 60. letech se s vývojem polovodičové technologie integrované obvody objevil polovodičový tlakový senzor s difúzním rezistorem, protože piezorezististický prvek. Tento druh tlakového senzoru má jednoduchou a spolehlivou strukturu, žádné relativní pohyblivé části a integrovaný prvek citlivý na tlak a elastický prvek senzoru, který zabraňuje mechanickému zpoždění a tečení a zlepšuje výkon senzoru.

Piezorezististický účinek polovodičového polovodiče má charakteristiku související s vnější silou, tj. Odpor (představovaný symbolem ρ) se mění se stresem, který nese, který se nazývá piezorezistický účinek. Relativní změna odporu při působení jednotky napětí se nazývá piezorezistický koeficient, který je vyjádřen symbolem π. Matematicky vyjádřil ρ/ρ = π σ.

Kde σ představuje stres. Změna hodnoty rezistence (R/R) způsobená polovodičovým odolností ve stresu je určena hlavně změnou odporu, takže expresi piezorezistického účinku lze také psát jako r/r = πσ.

Pod působením vnější síly jsou v polovodičových krystalech generovány určité napětí (σ) a napětí (ε) a vztah mezi nimi je určen Youngovým modulem (y) materiálu, tj. Y = σ/ε.

Pokud je piezorezististický účinek vyjádřen napětím na polovodiči, je to R/R = Gε.

G se nazývá faktor citlivosti tlakového senzoru, který představuje relativní změnu hodnoty odporu při jednotkovém napětí.

Piezorezististický koeficient nebo faktor citlivosti je základním fyzikálním parametrem polovodičového piezorezistického účinku. Vztah mezi nimi, stejně jako vztah mezi stresem a napětím, je určen mladým modulem materiálu, tj. G = π y.

Kvůli anizotropii polovodičových krystalů v elasticitě se Youngův modul a piezorestistivní změnu koeficientu s orientací krystalu. Velikost polovodičového piezorezistického účinku také úzce souvisí s odporem polovodiče. Čím nižší je odpor, tím menší je faktor citlivosti. Piezorezististický účinek difúzní rezistence je stanoven krystalovou orientací a koncentrací difúzní rezistence na nečistotu. Koncentrace nečistoty se týká hlavně koncentrace povrchové nečistoty difúzní vrstvy.